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HBM4E de 12 camadas da Samsung teria passado nos testes da NVIDIA

Segundo o jornal Hankyung, memória para IA também foi aprovada por outras big techs em setembro

Mateus Lecchi Mateus Lecchi |
HBM4E de 12 camadas da Samsung teria passado nos testes da NVIDIA

A Samsung pode ter dado um passo importante na corrida das memórias para inteligência artificial. De acordo com o jornal sul-coreano Hankyung, a HBM4E de 12 camadas da fabricante concluiu a etapa de qualificação da NVIDIA no fim de setembro de 2026. Outras grandes empresas de data center, as chamadas hiperescaladoras, também teriam dado sinal verde para o componente no mesmo período.

Nenhuma das companhias se pronunciou oficialmente até agora. Procurada pelo jornal, a Samsung afirmou que não tinha como confirmar se a qualificação da HBM4E foi concluída.

O que essa aprovação significa

A qualificação é a fase em que o cliente testa se o chip atende às exigências de desempenho, confiabilidade, temperatura e durabilidade. Passar nessa prova não garante pedidos: volume de fornecimento, preço e prazos de entrega ainda precisam ser acertados em contrato.

Mesmo assim, a notícia tem peso. A Samsung sofreu para emplacar suas memórias HBM3 com a NVIDIA e perdeu terreno para a concorrência nesse mercado bilionário. O cenário melhorou com a HBM3E e com a HBM4, que entrou em produção em massa em 2026 e foi pensada para a plataforma Vera Rubin, da NVIDIA. Como a HBM4E deve virar uma das memórias preferidas nos aceleradores de IA das big techs, sair na frente agora pode fazer diferença.

Memória HBM4E de 12 camadas da Samsung

Especificações da HBM4E

A Samsung anunciou o envio das primeiras amostras da HBM4E de 12 camadas para clientes em 29 de maio de 2026, quando também revelou os principais números do chip:

  • velocidade estável de 14 Gbps por pino, podendo chegar a 16 Gbps;

  • largura de banda de até 3,6 TB/s por pilha;

  • 48 GB na versão de 12 camadas, com variantes de 32 GB (8 camadas) e 64 GB (16 camadas) nos planos;

  • DRAM de sexta geração da classe de 10 nm (1c) com die lógico de base em 4 nm, feito pela Samsung Foundry;

  • eficiência energética 16% maior e resistência térmica mais de 14% melhor que a geração anterior.

Segundo a fabricante, o desempenho fica mais de 20% acima da HBM4. Na época, a empresa disse que a produção em massa seguiria o cronograma dos clientes depois da fase de amostras e otimização, algo que a aprovação da NVIDIA, se confirmada, pode acelerar.

Fonte: Hankyung

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